三星十代V-NAND 直接430层-世界新要闻

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据韩媒 The Elec 消息，三星将加速 3D NAND 堆叠进程，正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。

三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存，同时，下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。

据报道，三星计划 2024 年量产的第九代 V-NAND 将在 280 层 3D NAND范围内。对于定于 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND，三星正在讨论跳过 300 层直接进入 430 层。

2013 年出现的第一代 V-NAND 是 24 层。此后又推出了第二代 32 层、第三代 48 层、第四代64 层、第五代 92 层、第六代 128 层、第七代 176 层。每一代都经历了大约 1 年到 1 年零 6 个月的量产。

三星于 2022 年 11 月宣布量产了第八代 V-NAND，其堆叠层数为 236 层。据介绍，第八代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。